半導体装置の実装方法およびその実装構造

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-119363
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310567
出願日： 1993年04月23日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【構成】半導体装置1に突起電極3を形成し、実装基板2上に金属配線4を形成する工程と、実装基板上に絶縁層6を形成する工程と、絶縁層の突起電極に対応した金属配線の接続点に開口部7を形成する工程と、実装基板上の金属配線に位置合わせして半導体装置を実装する工程と、実装基板と半導体装置の間と半導体装置の周辺を封止樹脂5によって封止を行う工程とを有する半導体装置の実装方法およびその実装構造。【効果】実装基板の金属配線上に接続に必要な部分のみを開口した絶縁層を設けることによって、低融点金属や導電性接続材料の広がりを抑制することができるのでショートを防止でき、また低融点金属や導電性接続材料の必要量が少なくなるため小型の突起電極を形成することができる。したがって半導体装置の接続ピッチの縮小が可能であり、高密度実装に関して非常に有利となる効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体装置に低融点金属からなる突起電極を形成し、実装基板上に金属配線を形成する工程と、実装基板上に絶縁層を形成し、突起電極に対応した金属配線上の絶縁層に開口部を形成する工程と、実装基板上の金属配線に位置合わせして半導体装置を実装する工程と、実装基板と半導体装置の間と半導体装置の周辺を封止樹脂によって封止を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/56

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-038843
特開平3-108734
特開平3-242949

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