特許

J-GLOBAL ID：200903079041563258

半導体レーザ装置及び光ディスク再生記録装置

発明者： 蛭川 秀一 ,  大林 健
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-308713
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115640
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】バリア層と量子井戸層の活性領域における歪を補償し、高出力でありかつ信頼性の高い、760〜800nmのAlフリーの半導体レーザ装置、及びそれを用いた光ディスク用再生記録装置を提供する。【解決手段】GaAs基板上に、下クラッド層、バリア層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層を積層してなる半導体レーザ装置において、前記量子井戸層がInxGa1-xAs1-yPyからなり、xが0.69以上である。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、下クラッド層、バリア層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層を積層してなる半導体レーザ装置であって、前記量子井戸層がInxGa1-xAs1-yPyからなり、xが0.69以上である半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  G11B 7/125

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A

Fターム (16件)：

5D119AA42 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D789AA42 ,  5D789BA01 ,  5D789FA05 ,  5D789FA17 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073EA15 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面発光半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-320034   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319711   出願人：富士通株式会社