特許

J-GLOBAL ID：200903055880542286

面発光半導体レーザ

発明者： 大礒 義孝 ,  ▲舘▼野 功太 ,  小濱 剛孝 ,  テリー セール ,  黒川 隆志
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-320034
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162482
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 低閾値電流、発光の高効率化を図った面発光半導体レーザを提供することを課題とする。【解決手段】 GaAs基板1上に第一光反射鏡としてAlGaAs/GaAsを積層したn型反射鏡3と、格子定数がGaAsに比べて大きく圧縮歪み層を有しInGaAlAs/AlGaAsMQW活性層8と、AlAs/AlGaAs/GaAsp型反射鏡2をエピタキシャル成長して構成され、発振波長が0.8 μm帯である。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に第一光反射鏡として光学波長1/4の膜厚で交互にAlX1Ga1-X1AsとAlX2Ga1-X2As(0≦x1,x2 ≦1)を積層した半導体多層膜と、格子定数がGaAsに比べて大きいAlX3Ga1-X3As/InX4Ga1-X5Al1-X4-X5 As層(0≦x3,x4,x5≦1)、若しくはInX6Ga1-X6Asy1P1-y1/InX7Ga1-X7Asy2P1-y2層(0≦x6,x7,y1,y2 ≦1)で活性層の井戸層が圧縮歪みからなるMQW活性層と、光学波長の1/4の膜厚で交互にAlX8Ga1-X8AsとAlX9Ga1-X9As層(0≦x8,x9 ≦1)をエピタキシャル成長して構成され、発振波長が0.8 μm帯であることを特徴とする面発光半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349156   出願人：イーストマン・コダックジャパン株式会社
• 量子井戸型レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-320391   出願人：イーストマン・コダックジャパン株式会社
• 歪量子井戸レーザーの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-069569   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-003384