特許
J-GLOBAL ID：200903079058079090
静電チャック面への熱伝達流体の流れのための導管
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111367
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050813
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、静電チャック面への冷却ガス又はその他の熱伝達流体の流れを促進させるための2種類の構造(一つの基本構造の範囲内の多くの変形構造を含む)と、その構造の製作方法を提供することを目的とする。【解決手段】 この基本構造は、RFプラズマ環境での熱伝達ガスの分解、そしてそのような環境での、半導体基板と、静電チャックの導体ペデスタル部分との間に発生するアークに関する問題を解決するものである。この構造は、熱伝達流体流路(338)を有する導体層(330)と、前記導体層の一部分に接触し、前記導体層の一部分を前記熱伝達流体流路から隔離するように働く誘電体インサート(320)と、前記導体層の少なくとも一部の上に積層し、前記導体層からの前記熱伝達流体流路に接続された少なくとも一つの開口(332)を備える誘電体層(322)と、を備えている。
請求項（抜粋）：
静電チャックの上面への熱伝達流体の流れを促進する構成であって、(a)少なくとも一つの熱伝達流体流路を有する導体層と、(b)前記導体層の少なくとも一部分に接触し、前記導体層の少なくとも一部分を、熱伝達流体流路から隔離するように働く、少なくとも一つの隔離誘電体インサートと、(c)前記導体層の少なくとも一部の上に積層し、前記下地導体層からの前記熱伝達流体流路に接続された少なくとも一つの開口を備える、誘電体層と、を備える構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
