半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373531
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174163
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することにある。また、本発明の第二の目的は、歩留りの高い半導体装置を提供することにある。【解決手段】シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接触して形成されたゲート電極膜と、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドを主構成材料とする配線膜とを備え、前記ゲート絶縁膜の主構成材料が酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウムである半導体装置において、前記一主面を前記シリコンの(111)結晶面と平行にする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極膜と、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドを主構成材料とする配線膜とを備え、前記一主面が基板の(111)結晶面になるよう形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 21/8242 , H01L 27/088 , H01L 27/108

FI (10件)：

H01L 21/28 301 S , H01L 29/78 301 G , H01L 21/88 Q , H01L 21/88 R , H01L 21/90 C , H01L 27/08 102 D , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 671 Z , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 301 Q

Fターム (122件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104GG19 , 4M104HH04 , 4M104HH10 , 4M104HH14 , 5F033HH04 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ19 , 5F033JJ25 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033MM07 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033VV16 , 5F033WW04 , 5F033XX03 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F083AD01 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083HA08 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR33 , 5F140AA01 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK25 , 5F140CB01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (2件)

コバルトシリサイドの薄い層が形成されるデバイスの作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-085442 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
MIS半導体デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-099949 出願人：ティーディーケイ株式会社

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