特許
J-GLOBAL ID：200903079106851060

半導体装置及びその製造方法

発明者：
佐次田 直也

佐次田 直也 について

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高井 一章

高井 一章 について

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中村 光宏

中村 光宏 について

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山崎 辰也

山崎 辰也 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-350892
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174213
出願日： 1998年12月10日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】キャパシタを備えた半導体装置に関し、キャパシタを覆う絶縁膜形成の際のキャパシタの酸化物誘電体膜の劣化を防止し、その絶縁膜上に形成される配線の酸化を防止するとともに高集積化を可能にすること。【解決手段】半導体基板1に形成された不純物拡散層3dと、不純物拡散層3dを覆う絶縁膜4と、絶縁膜4上に形成されて下部電極5と酸化物誘電体膜6と上部電極7,17からなるキャパシタQと、キャパシタQを覆う層間絶縁膜8と、層間絶縁膜8に形成され且つ不純物拡散層3dと上部電極7,17を露出する2つの開口部8a,8cと、2つの開口部8a,8c内と層間絶縁膜8上に形成され、かつ、少なくとも上部電極7,17と酸化物誘電体膜6が接触している領域を含む範囲に形成された局所配線9aと、局所配線9aを覆う別の層間絶縁膜10,11とを含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物拡散層を形成する工程と、前記不純物拡散層を覆う第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上に酸化物誘電体膜を形成する工程と、前記酸化物誘電体膜を覆う上部電極を形成する工程と、前記上部電極、前記酸化物誘電体膜及び前記下部電極をパターニングすることによりキャパシタを形成する工程と、前記キャパシタを覆う第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜と前記第1絶縁膜をパターニングすることにより、前記不純物拡散層と電気的に接続する拡散層用開口部と前記上部電極を露出する上部電極用開口部を形成する工程と、前記拡散層用開口部内、前記上部電極用開口部内及び前記第2絶縁膜上に酸化防御用の金属膜を形成する工程と、前記金属膜をパターニングして、前記拡散層用開口部と前記上部電極用開口部を通るとともに、少なくとも前記上部電極と前記酸化物誘電体膜が接触している領域を含む範囲で局所配線を形成する工程と、前記局所配線を覆う第3絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (11件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (8件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/26 G ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Fターム (32件)：
5F001AA06 ,  5F001AA23 ,  5F001AD17 ,  5F001AD33 ,  5F001AF06 ,  5F001AG17 ,  5F038AC04 ,  5F038AC15 ,  5F038DF05 ,  5F058BC01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF01 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BF21 ,  5F058BF22 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF46 ,  5F058BF51 ,  5F058BF52 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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