特許
J-GLOBAL ID：200903075234569568
半導体レーザおよび半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081795
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261170
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 量子井戸効果を向上させて温度特性の向上を実現すると同時に、格子不整合を抑制して信頼性の高い構造を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】 GaAs基板2上に、井戸層8bを障壁層8a、8cで挟んだ超格子構造の活性層8を備えた半導体レーザにおいて、井戸層8bはGa1-xInxNyAs1ーy、障壁層8a、8bはGa1-iIniAs1-jPjまたはGaAs1-jPjで形成され、井戸層8bと障壁層8a、8cとを少なくとも1組以上積層している。井戸層8bのInの組成比xを小さくしても、量子井戸における伝導帯及び価電子帯での電子及び正孔の閉じ込め効果が十分に得られ、温度特性が向上する。更に、Inの組成比xを小さくすることにより、格子不整合が抑えられて、GaAs基板2からの応力歪みが抑えられ、信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、第1の層を第2の層で挟んだ超格子構造の活性層を備えた端面発光型の半導体レーザにおいて、前記第1の層はGa<SB>1-x</SB>In<SB>x</SB>N<SB>y</SB>As<SB>1-y</SB>、前記第2の層はGa<SB>1-i</SB>In<SB>i</SB>As<SB>1-</SB><SB>j</SB>P<SB>j</SB>(但し、0≦i<1)から成り、前記第1の層と第2の層とが少なくとも1組以上積層された構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (2件)
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半導体レーザ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-296210
出願人：株式会社日立製作所
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-049834
出願人：株式会社リコー
引用文献：
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