特許
J-GLOBAL ID：200903017592254838
化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075571
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274083
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 発光素子の発光特性の向上、動作信頼性の向上、受光素子の受光感度の向上、動作信頼性の向上が図られるように改良された化合物半導体装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 GaAs基板の上に、Ga1-x Inx Ny As1-y および/またはGaNy As1-y からなる、III-V族混晶半導体に窒素が含有された半導体層が設けられている。半導体層中の水素濃度が、1cm3 あたり5×1018個以下にされている。
請求項（抜粋）：
GaAs半導体基板と、前記GaAs半導体基板の上に設けられ、Ga<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N<SB>y </SB>As<SB>1-y </SB>(0<x≦0.35,0<y≦0.15)および/またはGaN<SB>y </SB>As<SB>1-y </SB>(0<y≦0.07)からなる、III-V族混晶半導体に窒素を含有させた半導体層と、を備え、前記半導体層中の水素濃度が、1cm<SP>3</SP> あたり5×10<SP>18</SP>個以下にされている化合物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
