特許

J-GLOBAL ID：200903079158970482

GaN系化合物半導体製造用アンモニアおよびGaN系化合物半導体の製造方法

発明者： 林田 英樹 ,  伊藤 泰蔵 ,  坂口 泰之
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-253027
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091235
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 発光特性に優れたGaN系化合物半導体を確実に製造することができるGaN系化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 充填容器18内に少なくとも一部が液体となるように充填され、該液相のアンモニア中の水分濃度がフーリエ変換赤外分光法(FT-IR)で測定して0.5volppm以下とされたGaN系化合物半導体製造用アンモニアを、基板1を収容した反応室11内にガス状態で導入し、このアンモニアを原料として、GaN系化合物からなる層を基板1上に形成する。

請求項（抜粋）：

充填容器内に少なくとも一部が液体となるように充填され、該液相のアンモニア中の水分濃度が、フーリエ変換赤外分光法(FT-IR)で測定して0.5volppm以下であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニア。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  G01N 21/35

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  G01N 21/35 Z

Fターム (21件)：

2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059CC09 ,  2G059HH01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DP02 ,  5F045EE02 ,  5F045GB01 ,  5F045GB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3-5族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059100   出願人：住友化学工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-166056   出願人：株式会社日立製作所