特許
J-GLOBAL ID：200903079209800668
固体撮像素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 義明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-309638
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126893
出願日： 1997年10月23日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【目的】 フォトダイオード部から増幅トランジスタ部へ電荷を完全に転送し、残像の発生を抑制できる固体撮像素子とその製造方法を提供する。【構成】 固体撮像素子におけるフォトダイオードの電荷蓄積領域(103)は、トランジスタ部と対向する側の端部がトランスファーゲート(110)の下にあり、空乏化防止領域(104)のトランジスタ部と対向する側の端部とオンラインまたはこれよりもトランジスタ部側にあり、そして基板(101)の表面とは接しないように形成される。フォトダイオード部からトランジスタ部への電荷転送時の電荷転送経路におけるポテンシャルに瘤や窪みが生じないので、電荷を完全に転送し、残像の発生を抑制することが可能となる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板領域と、前記半導体基板領域中に設けられた第2導電型の電荷蓄積領域と、前記電荷蓄積領域と前記半導体基板領域表面との間に設けられた第1導電型の空乏化防止領域と、前記半導体基板領域における前記電荷蓄積領域および空乏化防止領域と対向する領域中に設けられ、かつ電荷増幅に用いるためのトランジスタと、前記空乏化防止領域と前記トランジスタが設けられた領域との間でかつ前記半導体基板領域表面上に設けられて前記電荷蓄積領域から前記トランジスタへの電荷の転送を制御するMOSゲートと、を具備し、前記電荷蓄積領域の前記トランジスタと対向する側の端部は前記MOSゲートの下にあり、前記空乏化防止領域の前記トランジスタと対向する側の端部とオンラインまたはこれよりも前記トランジスタ側にあり、そして前記半導体基板領域表面には接していないことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 21/265
, H04N 5/335
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
, H01L 21/265 V
