特許
J-GLOBAL ID：200903079218971866
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-121049
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】微細化に伴うショートチャネル効果を抑制しながら、動作速度の向上と消費電力の低減を達成できる半導体装置を提供する。【解決手段】チャネルがソース・ドレイン12より低濃度の不純物拡散領域11を介してソース・ドレインと接続するLDD構造を有するMOSトランジスタを備えた半導体装置において、基板と同じ導電形の不純物拡散領域16が、LDD構造の接合深さと同一又はこれより浅い接合深さで、LDD構造の先端部と接合しているポケット構造とする。また、基板と同じ導電形で、ソース・ドレイン拡散層と接し、ソース・ドレイン層より深い接合深さの深層不純物拡散層14を設ける。
請求項（抜粋）：
チャネルがソース・ドレインより低濃度の不純物拡散領域を介してソース・ドレインと接続するLDD構造を有するMOSトランジスタを備えた半導体装置において、基板と同じ導電形の不純物拡散領域が、LDD構造の接合深さと同一又はこれより浅い接合深さで、LDD構造の先端部と接合しているポケット構造を有することを特長とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 29/78 301 L
, H01L 27/08 102 B
, H01L 27/08 321 D
, H01L 29/78 301 S
