特許
J-GLOBAL ID:200903079231197754
半導体集積回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 史旺 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-097598
公開番号(公開出願番号):特開2001-283590
出願日: 2000年03月31日
公開日(公表日): 2001年10月12日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、クロック信号等のタイミング信号に同期して外部から供給される入力信号を取り込む取込回路を備えた半導体集積回路に関し、レイアウト面積を増大することなく、入力信号を確実に取り込むことにある。【解決手段】 タイミング信号に同期して複数の入力信号をそれぞれ取り込む複数の取込回路を備えている。各取込回路に供給される入力信号の入力端子から該取込回路までの伝搬遅延時間は、互いに等しくされている。取込回路は、スキューのほとんどない入力信号を受けることができるため、取り込みに必要なタイミング余裕は、最小限になる。すなわち、高速動作が可能になる。同時に、取込回路に対応する入力信号ごとに伝搬遅延時間が等しくされているため、入力信号を伝達する配線を最小限の面積で配置できる。この結果、チップ面積を低減でき、チップコストを低減できる。
請求項(抜粋):
タイミング信号に同期して複数の入力信号をそれぞれ取り込む複数の取込回路を備え、前記各取込回路に供給される前記入力信号の入力端子から該取込回路までの伝搬遅延時間は、互いに等しいことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件):
G11C 11/409
, G11C 11/407
, G11C 11/401
FI (3件):
G11C 11/34 354 P
, G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 371 K
Fターム (5件):
5B024AA07
, 5B024AA15
, 5B024BA29
, 5B024CA11
, 5B024CA21
引用特許:
審査官引用 (7件)
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-285957
出願人:株式会社日立製作所
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-212140
出願人:三菱電機エンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-262550
出願人:三洋電機株式会社
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半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-311240
出願人:日本電気株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-119095
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-246598
出願人:富士通株式会社
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入力バッファを備える半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-366624
出願人:三星電子株式会社
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