不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-143265
公開番号（公開出願番号）：特開平8-007597
出願日： 1994年06月24日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】EEPROMの使用段階における不揮発性メモリセルの書込み・消去特性の劣化が生じた場合に、書込み・消去特性を良好に維持するように自動的に冗長用のセルあるいはセルブロックに置換できるようにする。【構成】EEPROMセルが配列されたセルアレイ10と、アドレス入力に応じてセルアレイのセルを選択するアドレスデコーダ11と、セルに対するデータの書込み特性または消去特性が所定以下に劣化した場合を検知する特性劣化セル検知回路23と、この検知回路からの検知信号に基づいて、この後は書込み特性または消去特性が劣化したセルに代えて冗長用または空きアドレス(未使用アドレス)のセルあるいはセルブロックを選択するように自動的に制御する置換制御回路24とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電気的消去・書込み可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、アドレス入力に応じて上記メモリセルアレイにおけるメモリセルを選択するための第1のアドレスデコーダと、冗長用のメモリセルあるいはメモリセルブロックと、上記冗長用のメモリセルあるいはメモリセルブロックを選択するための第2のアドレスデコーダと、前記メモリセルアレイのメモリセルに対する書込み特性または消去特性が所定以下に劣化した場合を検知する特性劣化セル検知回路と、この特性劣化セル検知回路から出力する検知信号に基づいて、この後は書込み特性または消去特性が劣化したメモリセルに代えて前記冗長用のメモリセルあるいはメモリセルブロックを選択するように自動的に制御する置換制御回路とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (7件)：

G11C 29/00 303 , G01R 31/28 , G11C 16/06 , H01L 27/10 491 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G01R 31/28 B , G11C 17/00 309 F , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭64-062900
特開平3-083298
特開平4-209389

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