不揮発性半導体記憶装置及びデータプロセッサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148677
公開番号（公開出願番号）：特開平7-334999
出願日： 1994年06月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】特別な工程を要さず、アクセスタイムの増加がなく面積の増加が小さい、不揮発性記憶素子の欠陥救済技術を提供する。【構成】冗長用のメモリセルMC-R、該メモリセルMC-Rによって代替すべきメモリセルMCを指定する救済情報格納用のメモリセルMC-Cを備える。救済情報の書込みに際してメモリセルMC-Cの選択は救済ビット選択回路RSELが行う。書込まれた救済情報はリセット信号MD2の指示によって救済情報ラッチCLATに初期ロードされる。通常の書込み・読出しに際してアドレス比較回路ACMPは救済情報と外部から供給されるアドレス情報を比較し、一致する場合には冗長用のメモリセルMC-Rを選択させる。

請求項（抜粋）：

選択端子がワード線に結合され且つデータ端子がデータ線に結合された複数の不揮発性記憶素子がマトリクス配置されたメモリセルアレイを備え、上記不揮発性記憶素子に対して電気的な書込みを可能とする不揮発性半導体記憶装置であって、上記メモリセルアレイは、救済されるべき不揮発性記憶素子を代替するための冗長用の不揮発性記憶素子と、該冗長用の不揮発性記憶素子によって代替すべき不揮発性記憶素子を指定するための救済情報を格納する救済情報格納用の不揮発性記憶素子とを含み、外部から供給されるアドレス情報に基づいてメモリセルアレイから不揮発性記憶素子を選択する第1の選択手段と、上記救済情報を書込むための指示に応答して救済情報格納用の不揮発性記憶素子を選択し、上記救済情報を読出すための指示に応答して救済情報格納用の不揮発性記憶素子を選択する第2の選択手段と、第2の選択手段にて選択された救済情報格納用の不揮発性記憶素子から読出された救済情報を保持するラッチ手段と、上記ラッチ手段の出力と外部から供給されるアドレス情報とに基づいて、救済されるべき不揮発性記憶素子に対するアクセスを検出することにより当該救済されるべき不揮発性記憶素子の選択に代えて冗長用の不揮発性記憶素子を選択する第3の選択手段と、を含んで成る不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 301 , G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (7件)

一括消去型不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243118 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平3-001398
特開昭62-107500

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