特許
J-GLOBAL ID:200903079271627590

半導体加速度センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-040039
公開番号(公開出願番号):特開2003-240797
出願日: 2002年02月18日
公開日(公表日): 2003年08月27日
要約:
【要約】【課題】 センサ感度を低下させることなく、良好なシールド効果が得られ、可動電極とシールド電極との間に電位差がなく、可動電極の固着を確実に防止した半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 ダイパッド2上に信号処理用IC5と接続されたセンサチップを備え、前記センサチップの半導体基板9上に、固定電極と可動電極を配設し、固定電極と可動電極を保護キャップ4で覆い、半導体基板の上面部にシールド電極層を埋設し、これらを封止樹脂で封止した半導体加速度センサにおいて、可動電極の電位を、信号処理用ICの容量/電圧変換回路51の出力電位から得ることができ、シールド電極層と保護キャップの少なくともいずれか一方が可動電極と電気的に接続して同電位とする。
請求項(抜粋):
ダイパッド上に信号処理用ICと接続されたセンサチップを備え、前記センサチップの半導体基板板上に、固定電極と可動電極を配設し、前記固定電極と可動電極を保護キャップで覆い、前記半導体基板の上面部にシールド層を配設し、封止樹脂で封止した半導体加速度センサにおいて、前記シールド層と前記保護キャップの少なくともいずれか一方が前記可動電極と電気的に接続されて同電位としたことを特徴とする半導体加速度センサ。
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • モノシリック加速度計
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-263209   出願人:アナログ・ディバイセス・インコーポレーテッド
  • 半導体加速度センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-306276   出願人:三菱電機株式会社
  • 光受信装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-035677   出願人:松下電器産業株式会社
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