特許

J-GLOBAL ID：200903079283333435

TiドープTa2O5層を形成する方法及び装置

発明者： ナルワンカール, プラヴィン, ケー. ,  サヒン, タルガット ,  ユルダール, ランダル, エス. ,  ヴェラガ, アンキニーヅ ,  リュー, パトリシア
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-553631
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517912
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2002年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)CVDプロセスを用いてチタンドープ五酸化タンタル誘電体を形成する方法と装置。本発明によれば、基板を堆積チャンバに入れる。次に、タンタル源、チタン源、酸素含有ガスを堆積チャンバに送り込む。熱エネルギーを用いてタンタル源を分解してタンタル原子を形成し、、チタン源を分解してチタン原子を堆積チャンバに形成する。次に、チタン原子、タンタル原子、酸素含有ガスを反応させてチタンドープの五酸化タンタル誘電膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に誘電層を形成する方法であって基板を堆積チャンバ内に配置するステップと、タンタル源を前記堆積チャンバ内に提供するステップと、酸素含有ガスを前記堆積チャンバ内に提供するステップと、チタン源を前記堆積チャンバ内に提供するステップと、前記タンタル源を分解してタンタル原子を形成し、チタン源を分解して前記堆積チャンバ内にチタン原子を形成するステップと、前記チタン原子と、前記タンタル原子と、前記酸素含有ガスとを反応させてチタンドープ五酸化誘電膜を形成するステップとを有する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40

Fターム (24件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF31 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-243666   出願人：三星電子株式会社
• 成膜・改質集合装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130258   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭62-017177
  
• 特開昭62-017177