特許
J-GLOBAL ID：200903079309031785
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271613
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098197
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 配線間の容量による電力消費を低減し、かつ高い集積度で集積化可能な半導体装置を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタにおいて、高い周波数が印加される、ゲイト電極105と、前記ソース電極106またはドレイン電極108の一方の間の距離は、低い周波数が印加される前記ゲイト電極105と、前記ソース電極106またはドレイン電極108の他方との間の距離より大きくする。
請求項（抜粋）：
ソース領域、ドレイン領域およびこれらの間に配置されたチャネル形成領域を有する半導体層と、前記チャネル形成領域上にゲイト絶縁膜を介して配置されたゲイト電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極とでなる電界効果トランジスタにおいて、前記ゲイト電極と、前記ソース電極またはドレイン電極の一方の間の距離は、前記ゲイト電極と、前記ソース電極またはドレイン電極の他方との間の距離より大きいことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 613 Z
