特許

J-GLOBAL ID：200903079320067210

イオンセンサ

発明者： 逢坂 哲彌 ,  笹野 順司 ,  芝田 学 ,  佐竹 大輔 ,  山内 悠 ,  野村 聡
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (3件)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子 ,  齊藤 真大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-083283
公開番号（公開出願番号）：特開2009-236687
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：

【課題】比較部の安定性に優れるとともに、化学的・物理的耐久性にも優れることにより、測定結果の再現性及び安定性が良好であり、かつ、小型化及び固体化が可能なイオンセンサを提供する。【解決手段】ゲート部にイオン感応膜が設けてある第1及び第2のISFETを備えていて、前記ISFETの一方は、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、前記ISFETの一方の当該測定対象イオンに対する感度が、前記ISFETの他方の当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート部にイオン感応膜が設けてある第1及び第2のISFETを備えていて、 前記ISFETの一方は、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、 前記ISFETの一方の当該測定対象イオンに対する感度が、前記ISFETの他方の当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるイオンセンサ。

IPC (1件)：

G01N 27/414

FI (2件)：

G01N27/30 301V ,  G01N27/30 301E

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体イオンセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-243430   出願人：富士電機株式会社
• 半導体センシングデバイスおよびその製造方法と、該デバイスを有してなるセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-278203   出願人：学校法人早稲田大学
• 半導体センシングデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-084200   出願人：学校法人早稲田大学
• 半導体DNAセンシングデバイス及びDNAセンシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-057706   出願人：学校法人早稲田大学