特許
J-GLOBAL ID：200903003117090889

半導体センシングデバイス

発明者：
逢坂 哲彌

逢坂 哲彌 について

, 
丹羽 大介

丹羽 大介 について


出願人/特許権者：
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について


代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084200
公開番号（公開出願番号）：特開2004-004007
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【解決手段】シリコン上にシリコン酸化物又は無機酸化物を形成し、その上に有機シラン単分子膜を直接的な検出部として形成してなる、有機単分子膜/酸化膜/半導体構造、又はシリコン基板又はダイヤモンド基板上に有機単分子膜を直接的な検出部として形成してなる、有機単分子膜/半導体構造を有する半導体センシングデバイス。【効果】オンチップでの超高感度、マイクロマルチ-イオン・バイオセンシングデバイス構築のための非常に効果的な半導体デバイスであり、これを用いた集積化デバイスは今後の一分子認識を可能とするセンシング特性を有するものであり、上記有機単分子膜を利用した半導体デバイスをオンチップpH、イオン、酵素、DNA、イムノセンサの一部もしくは全部に用いた半導体イオンセンシング、バイオセンシングデバイスは、超高感度なオンチップ集積化マイクロセンシングを可能とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコン上にシリコン酸化物又は無機酸化物を形成し、その上に有機シラン単分子膜を直接的な検出部として形成してなる、有機単分子膜/酸化膜/半導体構造を有することを特徴とする半導体センシングデバイス。
IPC (2件)：
G01N27/414 ,  H01L29/78
FI (5件)：
G01N27/30 301V ,  H01L29/78 301U ,  G01N27/30 301W ,  G01N27/30 301K ,  G01N27/30 301R
Fターム (8件)：
5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140AC37 ,  5F140BA01 ,  5F140BA04 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BE07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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