特許

J-GLOBAL ID：200903079339005193

深い絶縁トレンチ及びその形成方法

発明者： ミシェル・マーティ ,  アルノー・フォルトゥイン ,  ヴァンサン・アーナル
出願人/特許権者： ストミクロエレクトロニクス・ソシエテ・アノニム ,  コニンクレイケ フィリップス エレクトロニクス ナームロゼ フェンノートシャップ
代理人 (8件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-505989
公開番号（公開出願番号）：特表2004-531070
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

半導体基板(1)に形成された側部(11)と底部(10)を備えた深い絶縁トレンチに関するものである。側部(11)と底部(10)とを、空のキャビティ(13)の範囲を画定すると共にキャビティ(13)を閉じるためのプラグ(14)を成す電気的絶縁材料(12)で被覆されている。トレンチの側部(11)は、プラグ(14)の深さを決定するネック(15)と、底部(10)からの距離が増大するにつれてネック(15)から外側へテーパが形成された第1の部分(16)と共に構成されている。特に、バイポーラ及びBiCMOS回路に応用される。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)において側部(11)と底部(10)とを備えた深い絶縁トレンチにおいて、 側部(11)及び底部(10)が、空のキャビティ(13)の範囲を画定すると共にキャビティ(13)の閉鎖プラグ(14)を成す電気的絶縁材料(12)で被覆され、トレンチの側部(11)は、プラグ(14)の深さを決定するネック(15)と、底部(10)からの距離が増大するにつれてネック(15)から外方へテーパが形成された第1の部分(16)とを用いて構成されていることを特徴とする深い絶縁トレンチ。

IPC (2件)：

H01L21/76 ,  H01L21/3065

FI (2件)：

H01L21/76 L ,  H01L21/302 105A

Fターム (30件)：

5F004AA12 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F004EB04 ,  5F004FA01 ,  5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA37 ,  5F032AA44 ,  5F032AA54 ,  5F032AA67 ,  5F032AA70 ,  5F032AC02 ,  5F032BA01 ,  5F032CA01 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA24 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA44 ,  5F032DA74

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-083890   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-367521   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-292792   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-146422   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭59-172246
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-351776   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-124311   出願人：株式会社東芝