特許
J-GLOBAL ID：200903079364377631

磁気検出素子及びその製造方法

発明者：
長谷川 直也

長谷川 直也 について

, 
早川 康男

早川 康男 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077752
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008108
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 従来におけるフォトリソグラフィー技術では効果的に再生出力の高いCPP型磁気検出素子を製造することはできなかった。【解決手段】 フリー磁性層26のセンス電流の到達面側(上面側)に導電部と絶縁部とが混在した電流制限層27を設ける。これにより光学的な素子面積を大きくしても実効的な素子面積を小さくできるので、従来と同等の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて容易に磁気検出素子を製造できると共に再生出力の高いCPP型磁気検出素子を製造することができる。
請求項（抜粋）：
反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層の上面あるいは下面の少なくとも一方に、直接にあるいは他層を介して絶縁部と導電部とが混在した電流制限層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12
FI (5件)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 D ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (4件)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM