シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-060611
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257963
出願日： 2002年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】低誘電性に優れると共に十分な機械強度を有する被膜を得ることができ、しかも、その被膜を形成する際に、急激な応力の印加を防止できるシリカ系被膜形成用組成物を提供する。【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、(a)成分としてアルコキシシラン等のシロキサン樹脂と、(b)成分としてそのシロキサン樹脂を溶解可能なアルコール等の溶媒と、(c)成分としてアンモニウム塩等と、(d)成分として熱分解揮発性化合物とを含んでおり、硬化特性を示す温度-圧力曲線において300°C近傍に応力の極大値を有するものである。

請求項（抜粋）：

シロキサン樹脂を含有して成り、流動性を有し、且つ、基体上に塗布された膜状態において熱が印加されたときに硬化してシリカ系被膜が形成されるシリカ系被膜形成用組成物であって、前記膜状態における加熱温度に対する前記シリカ系被膜の応力の変化曲線において、200〜400°Cの温度領域に前記応力の極大値が存在するような硬化特性を有する、シリカ系被膜形成用組成物。

IPC (8件)：

H01L 21/312 , C09D 5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/08 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , C08G 77/04

FI (8件)：

H01L 21/312 C , C09D 5/25 , C09D183/02 , C09D183/04 , C09D183/08 , H01L 21/316 G , C08G 77/04 , H01L 21/90 S

Fターム (37件)：

4J035BA01 , 4J035BA11 , 4J035CA162 , 4J035CA182 , 4J035CA272 , 4J035CA282 , 4J035CA292 , 4J035EA01 , 4J035EB02 , 4J035EB03 , 4J035EB10 , 4J035LB01 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL061 , 4J038DL071 , 4J038DL081 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038NA19 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 5F033QQ74 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW09 , 5F033XX19 , 5F033XX24 , 5F058AA02 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-234603 出願人：ジェイエスアール株式会社
膜形成用組成物、膜の形成方法および低密度化膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-104169 出願人：ジェイエスアール株式会社

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