特許
J-GLOBAL ID：200903079397389058
集積回路強誘電体デバイスのための二層メタライゼーション方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-127610
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321811
出願日： 1998年05月11日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体系集積回路に適合する二層の配線形成の方法および構造を提供する。【解決手段】 二層メタライゼーション方法は、途中まで形成された集積回路の強誘電体デバイスをおおって平坦化された酸化物層48を形成するステップと、平坦化された酸化物層48をおおってキャップ層50を形成するステップと、平坦化された酸化物層およびキャップ層50内へビア52〜60を形成し所望の第1レベルの金属コンタクト45への通路を設けるステップと、選択された第1レベルの金属コンタクト45を第2レベルの金属を用いてメタライズするステップとを含む。キャップ層50は、ドープされたおよびアンドープのPZT(ジルコン酸チタン酸鉛)、BST(チタン酸バリウムストロンチウム)、およびSBT(チタン酸ストロンチウムビスマス)であってもよい。
請求項（抜粋）：
複数の第1レベルの金属コンタクトを有する集積回路強誘電体デバイスを形成するステップと、該集積回路強誘電体デバイスをおおって、平坦化された酸化物層を形成するステップと、該平坦化された酸化物層をおおってキャップ層を形成するステップと、該平坦化された酸化物及び該キャップ層内へビアを形成し、選択された第1レベルの金属コンタクトへの通路を設けるステップと、該選択された第1レベルの金属コンタクトを第2レベルの金属を用いてメタライズするステップと、を備える製造方法。
IPC (9件)：
H01L 27/10 451
, H01L 21/28
, H01L 21/31
, H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 21/28 L
, H01L 21/31
, H01L 21/90 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
