半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329870
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】従来の作製方法で作製される結晶質シリコン膜は、その結晶方位面がランダムに存在し、ある特定の結晶方位に対する配向率が低かった。【解決手段】シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを0.1〜10原子%含有する半導体材料を用い、結晶化を助長する金属元素を導入した後、当該金属元素を利用して非晶質半導体膜の結晶化を行うと、{101}格子面の配向率が高い半導体膜が得られ、その半導体膜を利用してTFTを作製する。

請求項（抜粋）：

電極を覆う絶縁膜上にチャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を含む半導体層を有する薄膜トランジスタが形成されている半導体装置において、前記チャネル形成領域は、シリコンを主成分としてゲルマニウムを含有し、且つ、二次イオン質量分析法において検出される窒素及び炭素の濃度が5×1018/cm3未満、且つ、酸素の濃度が1×1019/cm3未満であり、前記チャネル形成領域は、スポット径20nm以下の電子線を複数の異なる箇所に照射する反射電子線回折パターン法で測定される複数の結晶面を有し、且つ、それぞれの結晶面と基板面とのなす角が10度以下である結晶面の前記複数の結晶面の中での割合は、{101}面が20%以上であり、{001}面が3%以下であり、{111}面が5%以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 330 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 342 , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 27/08 331 , H01L 27/088

FI (12件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 330 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 342 A , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 627 G , H01L 27/08 102 B

Fターム (130件)：

2H092JA24 , 2H092JA26 , 2H092JA34 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092MA28 , 2H092MA30 , 2H092NA24 , 2H092NA29 , 2H092PA06 , 2H092PA08 , 2H092PA09 , 5C094AA10 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094JA01 , 5F048AB10 , 5F048AC02 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BC06 , 5F048BE08 , 5F048BG07 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE34 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF32 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12 , 5F110QQ16 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255497 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体薄膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-032872 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-156697 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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