特許
J-GLOBAL ID：200903079428901844
化学的機械的に平坦化された電気デバイスの製法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332999
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164541
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイスの化学的機械的平坦化において過酸化物含有スラリーを安定化させる。【解決手段】 半導体基板の上に重なっている構造物を有する、化学的機械的平坦化を用いて平坦化された電気デバイスを製造する方法であって、前記半導体ウェーハの上に材料の層を形成し;該材料層を研摩パッドと、過酸化物を含有するスラリーとに曝露することによって該材料層を研摩する;諸工程を含み、しかも、前記スラリーは該スラリー中の過酸化物の分解を遅延する安定化剤を更に含有する、上記製法。
請求項（抜粋）：
半導体基板に重なっている構造物を有する、化学的機械的平坦化を用いて平坦化された電気デバイスを製造する方法であって、前記半導体ウェーハの上に材料の層を形成し;該材料層を研摩パッドと、過酸化物を含有するスラリーとに曝露することによって該材料層を研摩する、諸工程を含み、しかも、前記スラリーは該スラリー中の過酸化物の分解を遅延する安定化剤を更に含有する、上記製法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
