特許
J-GLOBAL ID:200903079435814400

半導体イメージセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-207134
公開番号(公開出願番号):特開2008-072098
出願日: 2007年08月08日
公開日(公表日): 2008年03月27日
要約:
【課題】半導体イメージセンサにおける色信号の演算式の簡略化、感度向上を図る。【解決手段】光電変換手段と該光電変換手段の信号電荷を選択読み出しするMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、第1画素73Aと第2画素73Bが水平方向に交互に且つ垂直方向に交互に配列され、第1画素73Aに補色フィルタが配置され、第2画素73Bに原色フィルタが配置され、第1画素73Aは深さの異なる複数の光電変換領域からなり、斜めに連続する第1画素間を結ぶ直線と、斜めに連続する第2画素間を結ぶ交点領域を仮想画素73iとし、互いに斜め方向に隣接する少なくとも、2つの第1画素73A及び2つの第2画素73Bに蓄積された信号電荷から仮想画素73iの3原色信号を生成する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
光電変換手段と該光電変換手段の信号電荷を選択読み出しするMOSトランジスタとを含む複数の画素を備えた半導体イメージセンサであって、 第1画素と第2画素が水平方向に交互に且つ垂直方向に交互に配列され、 前記第1画素に補色フィルタが配置され、前記第2画素に原色フィルタが配置され、 前記第1画素は深さの異なる複数の光電変換領域からなり、 前記斜めに連続する第1画素間を結ぶ直線と、前記斜めに連続する第2画素間を結ぶ交点領域を仮想画素とし、 互いに斜め方向に隣接する少なくとも、2つの第1画素及び2つの第2画素に蓄積された信号電荷から前記仮想画素の3原色信号を生成する ことを特徴とする半導体イメージセンサ。
IPC (3件):
H01L 27/146 ,  H04N 5/335 ,  H04N 9/07
FI (3件):
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N9/07 A
Fターム (32件):
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GC14 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CX41 ,  5C024DX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GY35 ,  5C024HX14 ,  5C065AA01 ,  5C065AA03 ,  5C065BB19 ,  5C065BB22 ,  5C065BB30 ,  5C065DD15 ,  5C065DD17 ,  5C065EE05 ,  5C065EE06 ,  5C065GG13
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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