特許
J-GLOBAL ID:200903079436657391

材料チップのコンビナトリアル合成

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 喜平
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-582010
公開番号(公開出願番号):特表2003-532794
出願日: 2001年05月08日
公開日(公表日): 2003年11月05日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、二つ以上の化学成分の基板上への制御可能に変化可能な直接または多層堆積のためのシステム及び関連する方法を提供する。【解決手段】 集積材料チップを生成するために基板上への一つ,二つまたはそれ以上の化学成分の直接に制御可能に変化可能な濃度を備えるシステム及び方法。成分濃度は、一つまたは二つの位置座標により線形に,二次にまたは任意の他の適宜の累乗法則に従って、変化し得る。一つの実施形態においては、ソース及び開口幅が固定されまたは変更され且つ開口間隔が固定されまたは変更されるマスクが、所望の濃度エンベロープを生成するために使用される。他の実施形態においては、一つ以上の可動な開口または開放部を備えたマスクが、一次元または二次元で基板上の位置により変化する化学成分フラックスをもたらす。他の実施形態においては、ナズルスリットを通る化学成分の流れが所望の濃度をもたらす。イオンビームソース,スパッタリングソース,レーザアブレーションソース,分子線ソース,化学蒸着ソース及び/または蒸発ソースが、基板上に堆積されるべき化学成分を生ずる。炭化物,窒化物,酸化物,ハロゲン化物及び他の元素及び化合物が、基板への堆積物に添加され、反応され得る。
請求項(抜粋):
基板の表面に沿って測定される位置座標により制御可能に変化する第一及び第二の成分の濃度を有する、選択された第一及び第二の化学成分の混合体を基板上に堆積させるシステムにおいて、 上記システムが、 基板から隔置され、第一のソース及び第二のソースが、それぞれそれぞれ第一及び第二の化学成分の第一及び第二のフラックスを備える、それぞれ第一及び第二の化学成分の第一及び第二のソースと、 第一の端部及び第二の端部を有し、マスク開放部を有し、基板と第一及び第二のソースとの間に配置され、第一のソースから基板に延びる第一の視線と第二のソースから基板に延びる第二の視線の少なくとも一方に対して横向きの方向に移動可能であるマスクと、 基板の少なくとも一部が第一のソースから開放部を通して見える第一の位置から、基板が第一のソースから見えない第二の位置までマスクを移動させ、基板が第二のソースから見えない第三の位置から、基板の少なくとも一部が第二のソースから開放部を通して見える第四の位置までマスクを移動させるモータと、を含んでいることを特徴とする、システム。
IPC (3件):
C23C 14/54 ,  C22C 1/00 ZCC ,  C23C 16/52
FI (3件):
C23C 14/54 G ,  C22C 1/00 ZCC M ,  C23C 16/52
Fターム (12件):
4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029CA05 ,  4K029CA07 ,  4K029DC37 ,  4K029EA00 ,  4K029HA01 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030HA13 ,  4K030KA11 ,  4K030KA41
引用特許:
審査官引用 (11件)
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