特許
J-GLOBAL ID：200903079460573280

半導体装置及びその製造方法

発明者：
雨海 正純

雨海 正純 について

, 
大角 正紀

大角 正紀 について


出願人/特許権者：
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027367
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221259
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【構成】 半導体チップ10の保護膜13上に第2の保護膜が設けられ、この第2の保護膜上にリードフレーム11が固定され、このリードフレームが半導体チップ10の回路に電気的に接続されている半導体装置であって、リードフレーム10の主要部分が、前記第2の保護膜の少なくとも一部をなす熱可塑性樹脂層54bを介して前記第2の保護膜上に固着されている半導体装置。【効果】 リードフレームのマウントに必要な接着層の厚みを小さくすることができ、これによって、マウント圧着後及び温度サイクル中に発生する熱応力によるメタル断線を防止できると共に、IRリフロー時に発生しがちなパッケージクラックを減少させ、パッケージバランスがとり易く(パッケージ・ワーページの減少)、また、コストダウンも図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの保護膜上に第2の保護膜が設けられ、この第2の保護膜上にリードフレームが固定され、このリードフレームが前記半導体チップの回路に電気的に接続されている半導体装置であって、前記リードフレームの主要部分が、前記第2の保護膜の少なくとも一部をなす熱可塑性樹脂層を介して前記第2の保護膜上に固着されている半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 23/50 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件)：
H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-318962
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-177072   出願人：沖電気工業株式会社
  • 特開平3-256352
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