特許
J-GLOBAL ID:200903079478996200
膜形成方法及び装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
谷川 昌夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-000981
公開番号(公開出願番号):特開平9-184072
出願日: 1996年01月08日
公開日(公表日): 1997年07月15日
要約:
【要約】【課題】高価な排気装置を必要とせず、またこのことから大型の被成膜物品上にもそれだけ低コストで成膜を行うことができ、さらに、従来の減圧プラズマCVDのような被成膜物品の加熱を行うことなく良質の膜を得ることができる膜形成方法及び装置を提供する。【解決手段】成膜容器1内に被成膜物品Sを設置し、容器1内に圧力1kg/cm2 〜10kg/cm2 の成膜用ガスを導入するとともに、容器1内圧力を1kg/cm2 〜10kg/cm2 の所定圧に調整しつつ、このガスに高電圧電力を印加してこれをプラズマ化し、このプラズマのもとで被成膜物品S上に成膜する膜形成方法及び装置。
請求項(抜粋):
成膜容器内に被成膜物品を設置し、該容器内に圧力1kg/cm2 〜10kg/cm2 の成膜用ガスを導入するとともに、該容器内圧力を1kg/cm2 〜10kg/cm2 の所定圧に調整しつつ、該ガスに高電圧電力を印加してこれをプラズマ化し、該プラズマのもとで前記被成膜物品上に成膜することを特徴とする膜形成方法。
IPC (2件):
FI (3件):
C23C 16/44 A
, C23C 16/44 J
, C23C 16/50
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平3-061376
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基板の表面処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-264869
出願人:積水化学工業株式会社
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特開平2-050967
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回路用基板のプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-032489
出願人:松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
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特開平2-091658
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特開昭60-116784
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特開昭63-166972
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