特許

J-GLOBAL ID：200903079480967578

半導体装置

発明者： 山田 資隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-306655
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127186
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】ホットキャリア等での素子特性の劣化モニタ用にリングオシレータを搭載し、これを発振させて周波数カウンタで周波数を測定し、劣化の下限値データとの比較結果を外部に出力することにより、特性劣化したデバイスの使用を可能にするとともに、ACとしての劣化を把握可能とする。【解決手段】劣化指標となるリングオシレータ2、リングオシレータ2の発振周波数を測定する周波数カウンタ1、リングオシレータ2の発振周波数と比較するデータを記憶させたメモリ4、リングオシレータ2の発振周波数とメモリ4に記憶させたデータとを比較する比較回路3と、を含む。

請求項（抜粋）：

リングオシレータと、前記リングオシレータの発振周波数を測定する周波数カウンタと、前記リングオシレータの発振周波数と比較するデータを記憶する記憶手段と、前記リングオシレータの発振周波数と前記記憶手段に記憶されたデータとを比較する比較回路と、を含むトランジスタ劣化モニタ回路を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  G11C 29/00 303 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 31/26 B ,  G11C 29/00 303 Z ,  H01L 21/66 V ,  G01R 31/28 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294012   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-251259   出願人：日本電気株式会社
• 半導体論理集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-170825   出願人：日本電気株式会社