特許
J-GLOBAL ID：200903079486085003
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259648
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097535
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、ポリシリコン-アルミニウム置換法を製造工程があまり増大せず、且つ、素子特性に悪影響を与えないように工夫して適用することによって、プラグ及び配線層を低抵抗化する。【解決手段】 少なくとも下部プラグ5とシリコンで構成される上部プラグ7との間に、置換用金属8に対するバリアとなるストッパ6を設け、上部プラグ7を置換用金属8で置換する。
請求項（抜粋）：
少なくとも下部プラグと金属置換プラグとの間に、置換用金属に対するバリアとなるストッパを設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
H01L 21/90 D
, H01L 21/28 301 C
