特許
J-GLOBAL ID:200903079502895002

有機反射防止膜用組成物とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-271787
公開番号(公開出願番号):特開2001-158810
出願日: 2000年09月07日
公開日(公表日): 2001年06月12日
要約:
【要約】【課題】半導体製造工程中の超微細パターン形成工程において、フォトレジスト膜の下部膜層での反射が防げる有機反射防止膜用組成物及びその製造方法と前記組成物を用いる有機反射防止膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】有機反射防止膜用組成物は、下記化学式13の構造を有する化合物を架橋剤とし、下記化学式14の構造を有する化合物を光吸収剤として、製造される。【化27】【化28】(前記式において、b:cは0.1〜1.0:0.1〜1.0であり、R1、R11は水素又はメチル基であり、R1、R2、R4は1〜5の炭素数を有する側鎖又は主鎖置換されたアルキル基であり、R3は水素又は1〜5の炭素数を有する側鎖又は主鎖置換されたアルキル基である。)
請求項(抜粋):
下記化学式14の構造を有する化合物。【化1】(前記式において、b:cは0.1〜1.0:0.1〜1.0であり、R11は水素又はメチル基であり、R4は1〜5の炭素数を有する側鎖又は主鎖置換されたアルキル基である。)
IPC (18件):
C08F212/08 ,  C08F 2/06 ,  C08F 4/04 ,  C08F 4/34 ,  C08F220/28 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/14 ,  C08L 29/10 ,  C08L 33/14 ,  C09D 5/00 ,  C09D125/14 ,  C09D133/06 ,  C09K 3/00 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027
FI (19件):
C08F212/08 ,  C08F 2/06 ,  C08F 4/04 ,  C08F 4/34 ,  C08F220/28 ,  C08K 5/42 ,  C08L 25/14 ,  C08L 29/10 ,  C08L 33/14 ,  C09D 5/00 Z ,  C09D125/14 ,  C09D133/06 ,  C09K 3/00 U ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/38 ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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