特許
J-GLOBAL ID：200903079514178683

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小榑 直明

小榑 直明 について

, 
堀江 邦明

堀江 邦明 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について


代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194975
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023925
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 微細な凹部に欠陥のない健全な導電体からなる埋込み配線を形成できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板Wの表面に設けられた微細な凹部5に配線を埋め込んで形成した半導体装置において、前記配線は、前記凹部5の底部から開口端部に向けて一方向に成長させためっき金属銅7で構成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に設けられた微細な凹部に配線を埋め込んで形成した半導体装置において、前記配線は、前記凹部の底部から開口端部に向けて一方向に成長させためっき金属で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288
FI (3件)：
H01L 21/28 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/288 E
Fターム (14件)：
4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD21 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH01 ,  4M104HH09 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (3件)

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