ミリ波モジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：足立勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-244493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057513
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】フリップチップ実装された高周波部品の特性を最大限に引き出すことが可能なミリ波モジュールを提供する。【解決手段】高周波部品4をフリップチップ実装する誘電体基板6には、高周波部品4の実装位置に抜き穴6aを形成すると共に、この誘電体基板6を支持固定する基台8には、誘電体基板6に実装された高周波部品4と対向する位置に、凹部8aを形成し、更に、この凹部8aに電波吸収体9を装着する。これにより、誘電体基板6にフリップチップ実装された高周波部品4は、誘電体基板6の抜き穴6aを介して、基台8の凹部8aに装着された電波吸収体9と対向し、高周波部品4から漏洩する電磁波が、電波吸収体9にて吸収される。その結果、高周波部品4と誘電体基板6との間、及び高周波部品4と基台8との間の電磁波の伝搬が抑制され、高周波部品4の各ポート間のアイソレーションが向上する。

請求項（抜粋）：

高周波部品がフリップチップ実装される誘電体基板を備えたミリ波モジュールにおいて、前記誘電体基板に、前記高周波部品の実装位置にて開口する抜き穴を穿設し、該抜き穴を挟んで、前記誘電体基板上に実装された前記高周波部品と対向する位置に電波吸収体を配置したことを特徴とするミリ波モジュール。

IPC (5件)：

H01P 3/08 , H01L 23/12 301 , H05K 1/02 , H05K 1/18 , H05K 9/00

FI (6件)：

H01P 3/08 , H01L 23/12 301 C , H05K 1/02 N , H05K 1/02 C , H05K 1/18 L , H05K 9/00 Q

Fターム (31件)：

5E321AA17 , 5E321AA31 , 5E321GG05 , 5E321GG11 , 5E336AA04 , 5E336AA12 , 5E336BB02 , 5E336BC01 , 5E336BC34 , 5E336CC31 , 5E336DD24 , 5E336DD39 , 5E336EE05 , 5E336GG11 , 5E338AA02 , 5E338BB02 , 5E338BB13 , 5E338BB17 , 5E338BB71 , 5E338BB75 , 5E338CC02 , 5E338CC06 , 5E338CD01 , 5E338CD14 , 5E338CD32 , 5E338EE13 , 5J014CA08 , 5J014CA12 , 5J014CA22 , 5J014CA42 , 5J014CA56

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-027560
特開平3-027560
特開平3-027560

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