特許
J-GLOBAL ID：200903079613808680
炭化珪素単結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-310770
公開番号（公開出願番号）：特開2007-119273
出願日： 2005年10月26日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】マイクロパイプの発生がなく、らせん転位や刃上転位などの転位密度が極めて少なく、かつ、異方位結晶の混入のない高品質な炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】不活性雰囲気において、炭化珪素原料を2200〜2300°Cの範囲内の第1の温度に、炭化珪素種結晶を第1の温度より低くかつ2200°C以上の第2の温度になるように加熱し、圧力を13.3〜26.6kPaの範囲内で炭化珪素単結晶の成長速度が80μm/h以下になるように調整して炭化珪素単結晶を成長させる第一の成長工程と、該成長工程に続いて成長速度を第一の成長工程より速くするために、第一の成長工程における圧力から0.93kPa/h以下の速度で減圧させる減圧工程と、減圧後の圧力で、炭化珪素原料を前記第1の温度に、炭化珪素種結晶を第2の温度に加熱維持し、第1の成長工程における成長速度より速い成長速度で成長させる第2の成長工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶からなる種結晶に、所定の温度で炭化珪素原料からの昇華ガスを供給し、炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の成長方法において、
不活性雰囲気において、前記炭化珪素原料を2200〜2300°Cの範囲内の第1の温度に、前記炭化珪素種結晶を前記第1の温度より低くかつ2200°C以上の第2の温度になるように加熱し、圧力を13.3kPa〜26.6kPaの範囲内で炭化珪素単結晶の成長速度が80μm/h以下になるように調整して炭化珪素単結晶を成長させる第一の成長工程と、
前記第一の成長工程に続いて成長速度を第一の成長工程より速くするために、前記第一の成長工程における圧力から0.93kPa/h(7Torr/h)以下の速度で減圧させる減圧工程と、
減圧後の圧力で、前記炭化珪素原料を前記第1の温度に、前記炭化珪素種結晶を第2の温度に加熱維持し、前記第1の成長工程における成長速度より速い成長速度で炭化珪素単結晶を成長させる第2の成長工程と、を備えることを特徴とする炭化珪素単結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/36 A
, H01L21/203 Z
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077ED01
, 4G077HA06
, 4G077SA01
, 4G077SA07
, 4G077SA08
, 5F103AA10
, 5F103BB56
, 5F103BB57
, 5F103DD17
, 5F103NN02
, 5F103NN04
, 5F103RR06
