炭化珪素単結晶の成長方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：菊地精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089544
公開番号（公開出願番号）：特開2002-284599
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】炭化珪素粉末を原料とし、マイクロパイプと呼ばれる空洞状の欠陥の発生がなく、螺旋転位の極めて少ない高品質な単結晶の成長方法の開発の提供。【解決手段】不活性雰囲気において、圧力を100〜300Torrの範囲内の条件下において原料を2250°Cから2400°C、種単結晶基板を原料の温度より30〜100°C低い2200〜2300°Cに加熱し、かつ単結晶基板の成長速度を70μm/h以下に調整して成長させる炭化珪素単結晶の成長方法および不活性雰囲気において、初期の結晶基板温度を2250から2350°C、成長圧力を100〜300Torrとして初期成長層を形成した後、基板温度および成長圧力を減じながら最終的に成長圧力1〜20Torr、温度2200〜2250°Cまで徐々に減じながら結晶を成長させる炭化珪素単結晶の成長方法。

請求項（抜粋）：

不活性雰囲気において、圧力を13.3〜40kPaの範囲内の一定の条件下において炭化珪素粉末原料を2250〜2400°C、炭化珪素の種結晶基板を炭化珪素粉末原料の温度より30〜100°C低い2200〜2300°Cに加熱し、かつ炭化珪素単結晶の成長速度を70μm/h以下に調整して成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の成長方法。

Fターム (10件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077ED06 , 4G077SA01 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077SA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

SiC単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042708 出願人：新日本製鐵株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-213546 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-107273 出願人：株式会社デンソー

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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