特許
J-GLOBAL ID：200903097827584710

炭化珪素単結晶の成長方法、炭化珪素種結晶および炭化珪素単結晶

発明者：
小柳 直樹

小柳 直樹 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-176428
公開番号（公開出願番号）：特開2005-029459
出願日： 2004年06月15日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 昇華法にて作成された欠陥を有する大口径種結晶を用い結晶成長を行う場合において、結晶の成長過程で新たな欠陥を発生させることなく結晶を成長させ高品質な炭化珪素単結晶を製造する方法の提供。【解決手段】 炭化珪素単結晶からなる種結晶に、2000°C以上の高温で原料炭化珪素からの蒸気ガスを供給し、炭化珪素単結晶を成長させる単結晶製造方法において、低温部の結晶成長部に種結晶の結晶表面を、(0001)面あるいは(000-1)面に対し、4〜45°傾けて配置して、結晶成長の初期において結晶成長速度を0.05mm/hr以下で成長させた後、それ以後は1mm/hr以下の結晶成長速度で成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の成長方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素単結晶からなる種結晶に、原料炭化珪素からの蒸気ガスを供給し、炭化珪素単結晶を成長させる単結晶製造方法において、種結晶の結晶表面を、(0001)面あるいは(000-1)面に対し傾けて配置して結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の成長方法。
IPC (1件)：
C30B29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (9件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077EH01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077SA01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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