特許
J-GLOBAL ID：200903079665708307
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-189574
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008149
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ装置において、電気-光変換層の端面に流れる無効電流を抑制し信頼性を向上させる。【解決手段】 共振器面において、第一導電型クラッド層2の端面と第二導電型クラッド層8の端面とを結ぶ、複数の半導体層を通る最短ルートに対して電気-光変換層5の端面が外側に突出した構造とする。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第一導電型クラッド層、電気-光変換層および第二導電型クラッド層をこの順に含む複数の半導体層を積層してなり、対向する両側面を共振器面とする半導体レーザ装置であって、少なくとも一方の共振器面において、前記第一導電型クラッド層の端面と前記第二導電型クラッド層の端面とを結ぶ、前記複数の半導体層を通る最短ルートに対して前記電気-光変換層の端面が外側に突出していることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (13件)：
5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AA73
, 5F073AA83
, 5F073CA13
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA24
, 5F073DA32
, 5F073DA33
, 5F073EA28
, 5F073EA29
