特許
J-GLOBAL ID:200903079669634537

薄型電源用磁気素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小杉 佳男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-177159
公開番号(公開出願番号):特開平11-026239
出願日: 1997年07月02日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【課題】薄型電源用磁気素子は、従来、磁性層として6〜7μmの金属膜をスパッタ法でSi基板上に成膜していたため、コストが高く、Si基板が反るという問題があった。【解決手段】磁性層の組成がCuO:5〜20mol%、ZnO:5〜40mol%、Fe2 O3 :40〜50mol%、残りNiOからなり、15MHzまでの透磁率の低下が30%以下であるスピネル型フェライトから構成され、磁性層の熱膨張率が6.0〜10.0ppm/Kでかつ比抵抗が104 Ωcm以上の薄型電源磁気素子を提供する。
請求項(抜粋):
Si基板上に磁性層とコイル層を形成したインダクタ又はトランスにおいて、前記磁性層の熱膨張率が6.0〜10.0ppm/Kでかつ比抵抗が104 Ωcm以上であることを特徴とする薄型電源用磁気素子。
IPC (2件):
H01F 17/00 ,  H01F 10/20
FI (2件):
H01F 17/00 D ,  H01F 10/20
引用特許:
審査官引用 (9件)
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