特許
J-GLOBAL ID：200903079683161668
MEMS素子とその製造方法、回折型MEMS素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-038696
公開番号（公開出願番号）：特開2004-261884
出願日： 2003年02月17日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】MEMS素子におけるビームの歪み変形の低減を図る。【解決手段】基板側電極23と、この基板側電極23との間で静電力により駆動するビーム27とを備え、ビーム27が駆動側電極29を含む複数の薄膜で形成され、ビーム27に薄膜の広力歪みによるビーム変形を阻止する変形阻止手段31が設けられて成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板側電極と、該基板側電極との間で静電力により駆動するビームとを備え、
前記ビームが駆動側電極を含む複数の薄膜で形成され、
前記ビームに、前記薄膜の応力歪みによるビーム変形を阻止する変形阻止手段が設けられて成ることを特徴とするMEMS素子。
IPC (3件)：
B81B3/00
, B81C1/00
, G02B26/08
B81B3/00
, B81C1/00
, G02B26/08 E
2H041AA14
, 2H041AA18
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ08
