半導体装置の製造方法、研磨方法および砥石

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-347919
公開番号（公開出願番号）：特開平10-180615
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】 Mn酸化物を使ったCMP法に適した研磨布ドレスのための砥石、およびかかる砥石をドレスに使った研磨方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】研磨布のドレス工程を、前記Mn酸化物に対して化学的に安定なバインダ層により砥粒を保持した砥石により実行する。

請求項（抜粋）：

Mn酸化物を使って、研磨布上で被加工物を研磨する工程と、前記研磨工程の後、前記研磨布をドレスする工程とを含む研磨方法において、前記ドレス工程は、砥粒を、前記Mn酸化物に対して化学的に安定な樹脂材料よりなるバインダ層により基台上に保持した構成の砥石により実行されることを特徴とする研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , B24D 3/02 , H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 37/00 A , B24D 3/02 Z , H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (6件)

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