特許
J-GLOBAL ID：200903079700903878

ダイヤモンド単結晶基板の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板

発明者：
目黒 貴一

目黒 貴一 について

, 
山本 喜之

山本 喜之 について

, 
今井 貴浩

今井 貴浩 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 酒井 正己 ,  小松 秀岳 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322048
公開番号（公開出願番号）：特開2005-225746
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに適した、高品質で大型のダイヤモンド単結晶基板の製造方法及びダイヤモンド単結晶基板の提供。【解決手段】気相合成法により種基板であるダイヤモンド単結晶から単結晶を成長させる、ダイヤモンド単結晶基板の製造方法において、単結晶成長前に該種基板の機械的に研磨された表面を反応性イオンエッチングにより0.5μm以上400μm未満エッチング除去することにより、機械的研磨によって種基板表面に生じた加工変質層を除去してから単結晶を成長させてダイヤモンド単結晶基板を製造する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
気相合成法により種基板であるダイヤモンド単結晶から単結晶を成長させる、ダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、単結晶成長前に該種基板の機械的に研磨された表面を反応性イオンエッチングにより0.5μm以上400μm未満エッチング除去してから単結晶を成長させることを特徴とする、ダイヤモンド単結晶基板の製造方法。
IPC (2件)：
C30B29/04 ,  H01L21/205
FI (3件)：
C30B29/04 W ,  C30B29/04 S ,  H01L21/205
Fターム (17件)：
4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045HA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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