特許
J-GLOBAL ID：200903079658260198

ダイヤモンド単結晶の製造方法ならびにダイヤモンド単結晶基板およびその製造方法

発明者：
目黒 貴一

目黒 貴一 について

, 
今井 貴浩

今井 貴浩 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080701
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277183
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長中に割れや変形が発生せずに、大面積で高品質なダイヤモンド単結晶を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが100μm以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板101上にダイヤモンド単結晶102を気相合成法により形成する工程とを備える。ダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程は、厚みが100μmを超えるダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板101の一部分を除去して厚みを100μm以下にする工程とを備える。
請求項（抜粋）：
厚みが100μm以下の板状種結晶を準備する工程と、前記板状種結晶上にダイヤモンド単結晶を気相合成法により形成する工程とを備えた、ダイヤモンド単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/04 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B 29/04 A ,  C30B 29/04 V ,  H01L 21/205
Fターム (16件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA06 ,  4G077TK06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC08 ,  5F045AF02 ,  5F045BB13 ,  5F045DA68 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10
引用特許：
審査官引用 (6件)
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