特許
J-GLOBAL ID：200903079702514968
冷陰極およびこの冷陰極を用いた素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001680
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204022
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】微細加工技術を用いることなく冷電子放出部を形成できるようにして、製造コストを低減させるとともに、冷電子放出点の密度、均一度を十分に高め、品質を向上させ、さらに、不純物による劣化を防止できるようにし、さらにまた、材料の蒸発をなくし、放熱性を高めることで耐久性を向上させ、さらに動作電圧、消費電力を低くすることで、ディスプレイなどへの実用化を図る。【解決手段】基板3上に、カーボン、グラファイト、アモルファスカーボン、DLC(ダイヤモンドライクドカーボン:ダイヤモンド状カーボン)、ダイヤモンドなどの炭素系材料を成膜(第1層1、第2層2)することにより、凸状の冷電子放出部2が形成される。そして、この凸状の冷電子放出部2の先端2cより冷電子4が放出される。
請求項（抜粋）：
基板に対して凸状に冷電子放出部を形成し、この凸状の冷電子放出部より冷電子を放出するようにした冷陰極において、基板上に、炭素系材料を成膜することにより、前記凸状の冷電子放出部を形成するようにした冷陰極。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01J 1/30 A
, H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
