特許
J-GLOBAL ID：200903079718656134

半導体薄膜の形成方法および薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
大江 貴裕

大江 貴裕 について

, 
君島 美樹

君島 美樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-287250
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177136
出願日： 2008年11月10日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】加熱による移動度の低下とこれによる特性劣化を抑制可能で、耐熱性の向上が図られた半導体薄膜をより簡便な手順によって得ることが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】有機半導体材料を含む複数種類の有機材料を混合した溶液を基板上に塗布または印刷して薄膜を形成し、薄膜を乾燥させる過程で複数種類の有機材料を相分離させる。これにより、2層の半導体層a,a’間に有機絶縁性材料からなる中間層bが挟持された積層構造の半導体薄膜1を得る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有機半導体材料を含む複数種類の有機材料を混合した溶液を基板上に塗布又は印刷して薄膜を形成し、 前記薄膜を乾燥させる過程で前記複数種類の有機材料を相分離させることにより、前記有機半導体材料からなる半導体層を含む積層構造の半導体薄膜を形成する 半導体薄膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/50
FI (11件)：
H01L21/368 L ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H05B33/14 A
Fターム (70件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC24 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F053AA50 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH10 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA23 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG39 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110NN03 ,  5F110NN13 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ06
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM