特許

J-GLOBAL ID：200903079728926202

半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ

発明者： 孝治 吉春
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-299824
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114655
出願日： 2004年10月14日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分(導電層)が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】基板1の上にバッファ層2を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層2がAlXGa1-XNバッファ層23(0≦X<1)、AlNバッファ層22、GaNバッファ層21を順に形成した構造からなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板の上にバッファ層を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、 前記バッファ層がAlXGa1-XNバッファ層(0≦X<1)、AlNバッファ層、GaNバッファ層を順に形成した構造からなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (5件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/207 ,  H01L 29/201

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/207 ,  H01L29/203

Fターム (12件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-275429   出願人：日立電線株式会社
• 化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-240379   出願人：日立電線株式会社