特許
J-GLOBAL ID：200903031141867111
窒化物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275429
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102564
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】高電子移動度トランジスタのヘテロ界面のピエゾ電荷によるクーロン散乱を軽減して、チャネル層の本来の高い電子移動度の実現を図る。【解決手段】n型不純物をドープした窒化アルミニウム・ガリウムから成る電子供給層6と、ノンドープの窒化ガリウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るチャネル層4とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、上記電子供給層6と上記チャネル層4との間に、弾性的な歪みを有しない、従って弾性歪みが小さくピエゾ電荷の現れない窒化化合物半導体から成るスペーサ層5を挿入する。
請求項（抜粋）：
n型不純物をドープした窒化アルミニウム・ガリウムから成るn型層と、ノンドープの窒化ガリウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るノンドープ層とのヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、上記n型層と上記ノンドープ層との間に弾性的な歪みを有しない窒化化合物半導体層を挿入したことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102FA02
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GL09
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GM10
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
