特許
J-GLOBAL ID：200903079749913658
単量体、重合体、単量体製造方法、重合体製造方法、フォトレジスト、フォトレジスト製造方法および半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-367518
公開番号（公開出願番号）：特開平11-286469
出願日： 1998年12月24日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 KrF又はArFレーザにおいても耐性を有し、かつ、TMAH水溶液で現像可能であり、接着性が優れたフォトレジストを提供する。【解決手段】 下記式(I)で示される新規のバイサイクロアルケン誘導体でなることを特徴とする単量体を重合させた重合体と、これを含有するフォトレジストである。【化1】前記式中、R′及びR′′は、それぞれ水素又は炭素数1〜4個の置換、又は非置換された直鎖又は側鎖アルキルであり、mは1〜8の数で、nは1〜6の数である。
請求項（抜粋）：
下記式(I)で示される新規のバイサイクロアルケン誘導体でなることを特徴とする単量体。【化1】前記式中、R′及びR′′は、それぞれ水素又は炭素数1〜4個の置換、又は非置換された直鎖又は側鎖アルキルであり、mは1〜8の数で、nは1〜6の数である。
IPC (5件)：
C07C 69/753
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/027 502
C07C 69/753 C
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/027 502
