特許

J-GLOBAL ID：200903079757137276

半導体発光素子及び半導体発光装置

発明者： 上山 智 ,  鈴木 政勝 ,  上野山 雄 ,  大仲 清司 ,  高森 晃 ,  萬濃 正也 ,  木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  石橋 明彦 ,  福久 敏哉 ,  熊渕 康仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173232
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 しきい値電流の小さい半導体レーザを提供する。【解決手段】 LiTaO3基板201上にAlN層202、n-AlzGa1-zN層203、AlyGa1-yN 第1光ガイド層204、InxGa1-xN/GaN多重量子井戸活性層205、AlyGa1-yN 第2光ガイド層206、p-AlzGa1-zNクラッド層207を連続的に形成する。エッチングによりリッジストライプ208を形成し、SiO2絶縁膜209を堆積した後、電流注入のためにSiO2絶縁膜209に開口部210および211を形成する。最後にアノード電極212およびカソード電極213を形成する。このウルツ鉱型InGaN/AlGaN量子井戸半導体レーザを構成する層構造は、800〜1100°Cの範囲で作製される。したがって成長終了後に室温に戻された結晶と基板との熱膨張係数差によって発生する歪により、半導体レーザのしきい値電流が小さくなる。

請求項（抜粋）：

活性層と、前記活性層を挟むクラッド層とを備え、前記活性層は、ウルツ鉱型のAlxGayInzN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)系化合物半導体であり、前記クラッド層は、ウルツ鉱型のAlxGayInzN(但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)系化合物半導体であり、前記活性層のバンドギャップは、前記クラッド層のバンドギャップよりも小さく、前記活性層には、等方的でない歪が入っている半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007048   出願人：松下電器産業株式会社