特許

J-GLOBAL ID：200903079778548888

ビームホモジナイザおよびレーザ照射装置および半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者： 田中 幸一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-024659
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291681
出願日： 2001年01月31日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】非単結晶半導体膜のアニール工程には、エネルギーが均一化された線状のレーザビームがよく用いられる。量産化のため、線状のレーザビームの長尺化が課題となっているが、従来の透過式の光学系で長さ600mm以上の線状のレーザビームを形成するためには非常に高価な光学レンズが必要である。長さ600mmは量産用大型基板の短辺の長さに相当する。【解決手段】図1に示す反射鏡で構成された光学系を用いて、上記課題を解決する。例えば、ビーム分割する反射鏡1106と1107を使うことにより、エネルギーが均一化された線状のレーザビームが反射鏡のみの構成で形成することができる。反射鏡は、透過式のレンズと比較し遙かに加工しやすい。また、特に光学系が大型化したとき、反射鏡は非常に安価で作製できる。よって、本発明の光学系を用いることで、長さ600mm以上の線状のレーザビームを比較的容易に作製することが可能となる。

請求項（抜粋）：

被照射面において線状に分布するレーザビームを形成するためのビームホモジナイザであって、前記ビームホモジナイザは、ビーム分割する反射鏡を2つ有することを特徴とするビームホモジナイザ。

IPC (6件)：

H01L 21/268 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01S 3/00

FI (5件)：

H01L 21/268 J ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/00 B ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-084788
  
• 特開平2-187294
  
• レーザ照射装置並びに半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-390829   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• レーザーアニール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068670   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所